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特征参数

-  标称调谐频段：290～500MHz@VT=0V～5V

-  输出功率：≥8dBm @VCC=5V

-  带内平坦度（BW≤200MHz）：±0.5dB

-  供电电压（VCC）：3V～6V

-  工作电流：14mA

-  二次谐波抑制：≤-20dBc

-  三次谐波抑制：≤-25dBc

-  极少外围元器件 射频输出阻抗50Ω

-  7mm×9mm×2mm通用封装尺寸

特征参数

-  标称调谐频段：3750～4550MHz@VT=0V～5V

-  输出功率：≥6dBm @VCC=5V

-  带内平坦度（BW≤200MHz）：±0.5dB

-  供电电压（VCC）：3V～6V

-  工作电流：13mA

-  二次谐波抑制：≤-25dBc

-  三次谐波抑制：≤-30dBc

-  极少外围元器件 射频输出阻抗50Ω

-  7mm×9mm×2mm通用封装尺寸

-  标称调谐频段：c@VT=0V～5V

-  输出功率：≥6dBm @VCC=5V

-  带内平坦度（BW≤200MHz）：±0.5dB

-  供电电压（VCC）：3V～6V

-  工作电流：15mA

-  二次谐波抑制：≤-25dBc

-  三次谐波抑制：≤-35dBc

-  极少外围元器件 射频输出阻抗50Ω

- 7mm×9mm×2mm通用封装

-  输出功率：≥8dBm @VCC=5V

-  带内平坦度（BW≤200MHz）：±0.5dB

-  供电电压（VCC）：3V～6V

-  工作电流：18mA

-  二次谐波抑制：≤-30dBc

-  三次谐波抑制：≤-35dBc

-  极少外围元器件 射频输出阻抗50Ω

-  7mm×9mm×2mm通用封装尺寸

-  标称调谐频段：480～640MHz@VT=0V～5V

-  输出功率：≥8dBm @VCC=5V

-  带内平坦度（BW≤200MHz）：±0.5dB

-  供电电压（VCC）：3V～6V

-  工作电流：17mA

-  二次谐波抑制：≤-25dBc

-  三次谐波抑制：≤-40dBc

-  极少外围元器件 射频输出阻抗50Ω

-  7mm×9mm×2mm通用封装尺寸

• 工作频率：1~1.8GHz

• 工作电压：12V

• 增益：33dB

• 输出功率：10W

• 封装：QFN 5×5-20L

n 工作频率：0.1~2GHz

n 工作电压：12V

n 增益：15dB

n 输出功率：15W

n 静态电流：100mA

n 工作效率：60%

n 封装：DFN 5×6-8L

n 存储温度：-65℃ to +150℃

标称调谐频段：5150-5950MHz

输出功率：≥6dBm @VCC=5V 

带内平坦度（BW≤200MHz）：±1dB

供电电压（VCC）：3V～6V

工作电流：10mA

二次谐波抑制：≤-25dBc

三次谐波抑制：≤-25dBc

极少外围元器件 射频输出阻抗50Ω

7mm×9mm×2mm通用封装尺寸